1200Vハーフブリッジ ゲートドライバー 2ED132xS12xファミリー
最終更新日:2023/08/17
このページを印刷ブートストラップ ダイオードとOCPを内蔵、寄生サイリスタ構造がなく、-100Vから700nsまでのNTSOAを保証
本製品は、商用空調システム、ヒートポンプ、サーボドライブ、産業用インバーター、ポンプ、ファン(最大10kW)などの高出力アプリケーション向けに開発された、1200V SOIハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC。DSO-16とDSO-20の2種類のパッケージで、いずれも300milのワイドボディパッケージ。IGBTだけでなく、1200VのSiC MOSFETにも適合している。VSピンの負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を提供(SOIは定義上、寄生サイリスタ構造を持たない)。この結果、700nsのパルスを繰り返すと100Vの-VS過渡電圧耐性が保証される。
その他の情報
- ・超高速HVブートストラップダイオード内蔵 (1V(typ.) @0.3mA、30Ω(typ.))
・ハイサイド/ローサイド用アクティブミラークランプ (AMC、電流容量 2.3A)
・短絡クランプ (SCC、0.5A、10us 耐量)
・シュートスルー保護機能 (ハイサイド/ローサイド) 搭載
・RFE 1ピンは、3つの機能 (イネーブル、フォルトアウト、フォルトクリアタイマー) とUVLO保護に対応
・高精度±5%コンパレータによる超高速過電流保護機能
製品カタログ・資料
- 1200Vハーフブリッジ ゲートドライバー 2ED132xS12xファミリー
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.03MB本製品は、商用空調システム、ヒートポンプ、サーボドライブ、産業用インバーター、ポンプ、ファン(最大10kW)などの高出力アプリケーション向けに開発された、1200V SOIハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC。DSO-16とDSO-20の2種類のパッケージで、いずれも300milのワイドボディパッケージ。IGBTだけでなく、1200VのSiC MOSFETにも適合している。VSピンの負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を提供(SOIは定義上、寄生サイリスタ構造を持たない)。この結果、700nsのパルスを繰り返すと100Vの-VS過渡電圧耐性が保証される。
関連製品カタログ・資料
評価ボード EVAL-2ED2101-HB-LLC
1600Vパワーディスク AMPT T1400N16H75/T1700N16H75
トライバンド Wi-Fi 6/6E + Bluetooth 5.3コンボ AIROC CYW5557x
フロントステージHPFフライバックコンバータ リファレンスデザイン REF-XDPL8219-U40W
650V CoolSiC ハイブリッド ディスクリート AIKBE50N65RF5
8Mbit/16Mbit EXCELON F-RAM
デュアルポート高耐圧マイクロコントローラー EZ-PD PMG1-S3 CYPM1321-97BZXI
EZ-PD バレル コネクター リプレースメント(BCR)
ARMベースPSoC4 32ビット車載MCU
組込みセキュリティソリューション OPTIGA TPM SLB 9673
会社情報
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