120Vブート・3A/4A 接合分離型ハイサイド/ローサイドゲートドライバーIC EiceDRIVER 2EDL803X
最終更新日:2023/10/12
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- ・3 A & 4 A ソース / 6 A シンク出力電流能力
・絶対最大ブート電圧120 V
・ブートストラップ ダイオード内蔵
・堅牢性を高める -10 V~20 Vの入力ピン能力
・-5 Aの出力ピン逆電流能力
・HSの絶対最大負電圧 -12 V
・8 V~17 Vの電源電圧動作範囲
・ハイサイドドライバーとローサイドドライバーの両方にUVLO対応
・高速伝搬遅延 (< 35 ns)
・2 ns標準遅延マッチング
・SON10 (3×3mm) パッケージでのイネーブル/ディセーブル機能
・SON-8 (4x4mm)、SON-10 (4x4mm) およびSON-10 (3x3mm) パッケージで提供
・動作ジャンクション温度範囲 -40ºC~125ºC
製品カタログ・資料
- 120Vブート・3A/4A 接合分離型ハイサイド/ローサイドゲートドライバーIC EiceDRIVER 2EDL803X
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.54MB【2EDL803X】は、ハーフブリッジ構成でハイサイドとローサイドの両MOSFETを駆動するように設計されたゲートドライバー。フローティング ハイサイド ドライバーは、ブートストラップ電圧120Vまで動作するハイサイドMOSFETを駆動できる。ハイサイド バイアス電圧は、内蔵ブートストラップ ダイオードを使用したブートストラップ技術により生成され、ドライバーの入力はTTLロジック互換で、-10~20Vまでの入力コモンモード振幅に耐えることができる。独立入力により、ハイサイドとローサイドのドメインを個別に制御可能。ハイサイドとローサイドの両方の電源に低電圧誤動作防止機能(UVLO)があり、電源不足の場合、対応する出力が強制的にローレベルになる。SON-8ピン4×4mm、SON-10ピン4×4mm、SON-10ピン3×3mmパッケージで提供。
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