200VハイサイドTDIゲートドライバーIC EiceDRIVER 1EDN71x6G
最終更新日:2023/08/17
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- ・ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性
・外付けゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化
・アクティブ ミラー クランプで誘導ターンオンを回避
・オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘発されるターンオンイミュニティを追加することができる
・デッドタイム中のブートストラップ コンデンサーの過充電を回避
製品カタログ・資料
- 200VハイサイドTDIゲートドライバーIC EiceDRIVER 1EDN71x6G
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:12.41MB【EiceDRIVER 1EDN71x6G】は、インフィニオン CoolGaN ショットキーゲート(SG)HEMT、また、その他のGaN SG HEMTやSi MOSFETの駆動に最適化されたシングルチャネルのゲートドライバーIC。高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる重要な機能がいくつか搭載されており、これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能なチャージポンプなどがある。TDI機能により、同相電圧が150V(スタティック)および200V(ダイナミック)以下であれば、ゲートドライバーの出力状態は、ドライバーの基準(グランド)電位に関わらず、2つの入力の電圧差によってのみ制御される。これにより、ローサイドアプリケーションにおけるグランドバウンスによる誤作動のリスクを排除するとともに、ハイサイドアプリケーションにも対応することが可能。
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