その他の情報
- ・動作電圧範囲:1.7〜2.0V
・HYPERBUS 拡張I/O(16ビット)
・アクセス時間:35ns(max)、クロックレート:200MHz
・Double data rate(DDR) リード/ライト帯域幅:800MBps
・設定可能なバーストモード(リニアバースト、ラップレングスバースト、ハイブリッドバースト)
・出力駆動強度の設定可能
・ディープパワーダウン:12μA(max)、ハイブリッド ディープスリープ:140μA@85℃
・メモリアレイの分割リフレッシュ機能により、バッテリー性能を最適化
・パッケージ:49-ball BGA 8×8mm
・容量:256Mb
製品カタログ・資料
- 擬似スタティック ランダム アクセス メモリ x16 256Mbit HYPERRAM 3.0
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.05MB【HYPERRAM 3.0】は、スクラッチパッドやバッファリング目的で拡張メモリを必要とする高性能組込みシステム向けの高速、低ピン数、低消費電力のセルフリフレッシュ型ダイナミックRAM(DRAM)。16ビットI/Oによって実現されており、DDRモードで最大800MBpsの読み取り/書き込み帯域幅を提供する。9Ball BGAパッケージで、拡張動作温度範囲(-40~+105℃)を提供する。インダストリーおよび拡張インダストリー温度グレードを提供可能、1.8Vのオプションに対応。
関連製品カタログ・資料
会社情報
インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。
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製品ご紹介
車載用MOSFET OptiMOS 6 40V HB SS08
評価ボード EVAL_PS_DP_MAIN
NFCタグ側コントローラー NAC1080
2300V ハーフブリッジ/1200Vコモンコレクター IGBTモジュール
EasyPACK/EasyDUAL 1200V CoolSiC MOSFET M1Hパワーモジュール
650V TRENCHSTOP 5 IGBT搭載 EasyPACK 3Bパワーモジュール
EasyPACK モジュール FF4MR12W2M1HP_B11/FF6MR12W2M1HP_B11
DC-DCブーストコントローラー LITIX Power TLD6098-2ES
パワーMOSFET StrongIRFET 2ファミリー(80V/100V)
EV充電用CoolSiC MOSFETパワーモジュール/整流器 EasyPACK/EasyBRIDGE