1500V出力 低リーク電流フォトMOSFETリレー ASSR-601J
最終更新日:2021/05/24
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用途 | ■太陽光発電パネル地絡モニタリング ■バッテリ管理システム(BMS) ■モータ巻線用途 ■突入電流制限器保護 ■電気機械式リレーの代替 |
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その他の情報
- ■コンパクトなソリッド・ステート双方向信号スイッチ
■動作温度範囲:-40~+110℃
■ブレークダウン電圧、VO(OFF):1,500V @IO=0.25mA
■アバランシェ定格MOSFET
■出力リーク電流、IO:<1mA @VO=1,000V
■オン抵抗、RON:<250Ω @IO=50mA
■ターンオン時間 TON:<4ms
■ターンオフ時間 TOFF:<0.5ms
■パッケージ:300mil SO-16
■外部沿面距離と空間距離:>=8mm(入力-出力間)
■外部沿面距離:>5mm(MOSFETのドレインピン間)
■安全規制認証:
・IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
・最大動作絶縁電圧:1,414Vpeak
・UL1577 5,000Vrms、1分間
・CSA認定
製品カタログ・資料
- 1500V出力 低リーク電流フォトMOSFETリレー ASSR-601J
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.32MB【ASSR-601J】は、アバランシェ定格MOSFETを使用した高電圧ソリッド・ステート・リレーで、高電圧出力ディテクタ回路と、光学的に結合されたAlGaAs赤外線LEDで構成されている。このディテクタは、2つの高電圧MOSFETのオン/オフ切り替えを行う駆動回路と、高速フォトボル・ダイオードアレーで構成されており、リレーは、入力LEDへの最小入力電流(10mA)で出力オン(接触閉)になり、0.4V以下の入力電圧で出力オフ(接触開)になる。1フォームA電気機械式リレー(EMR)と同等の機能で、パッケージは16ピンSOIC。
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