トランスファーモールドシリコンカーバイドIPM CIPOS Maxi SiC IPM IM828-XCC
最終更新日:2023/08/17
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- ・完全に絶縁された、DCB基板を含むデュアルインラインモールドモジュール
・1200VCoolSiC(TM) MOSFET
・堅牢な 1200V SOIゲートドライバ技術
・ブートストラップ機能内蔵
・過電流シャットダウン
・全チャネルで低電圧ロックアウト
・保護時は全6スイッチをオフ
・上下短絡防止
・VBS=15Vでの信号伝送時、VS負電圧は-11Vまで許容可能
・ローサイドはオープンエミッタ
製品カタログ・資料
- トランスファーモールドシリコンカーバイドIPM CIPOS Maxi SiC IPM IM828-XCC
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.23MB【IM828-XCC】は、6個のCoolSiC MOSFETを、最適化された1200V 6チャネル SOIゲートドライバとともに集積化したトランスファーモールドシリコンカーバイドIPM(インテリジェントパワーモジュール)。信頼性向上、優れた保護、最適化されたPCBサイズとシステムコストを実現。1200Vクラスでは最もコンパクトなパッケージに、8kWを超える定格電力と、高い電力密度、信頼性および性能を併せ持っている。全チャネルの低電圧ロックアウト、保護時の全スイッチオフ、上下短絡防止、過電流保護、温度モニターなどの優れた保護機能を提供する。
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