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【カタログプレビュー】低オン抵抗領域1200 V CoolSiC MOSFET

本製品は、最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立したMOSFET。.XT技術によりクラス最高の放熱性を実現。力率改善 (PFC) 回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータやDC-ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的。
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企業基本情報

社名:
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
住所:
〒 150-0002
東京都 渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
Web:
https://www.infineon.com/cms/jp/

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