新しいフォームファクタ、オンステート抵抗、およびスイッチング性能の標準となるPQFN2x2 OptiMOS5 25Vおよび30Vソリューションを発表
2022/02/28
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
ディスクリート パワーMOSFET技術における新しい技術標準の確立に取り組むインフィニオン テクノロジーズ(FSE:IFX/OTCQX:IFNY)は、新しいPQFN2×2mm2 OptiMOS5 25Vおよび30V製品ファミリーを発表しました。薄型ウエハ技術とパッケージング イノベーションを組み合わせたこの新しいデバイスは、非常に小さなフォーム ファクターで大きな性能上の利点を実現します。OptiMOS5 25Vおよび30Vは、サーバ、テレコム ブリック、ポータブル充電器、ワイヤレス充電などのSMPS(スイッチド モード電源)における同期整流用に最適化されています。また、パワーMOSFETは、フォーム ファクターの小型化と部品の軽量化が求められるドローンの小型ブラシレス モーター用電子速度制御(ESC)向けに設計されています。
クラス最高のPQFN2×2デバイスは、業界最小のオンステート抵抗で、新しい電力密度とエネルギー効率の高い次元を実現します。2×2mm2の小さなパッケージフットプリントは、PCBレイアウトの配線自由度を高めます。優れた電気的性能と相まって、このソリューションは、最終アプリケーションの電力密度およびフォームファクタの改善にさらに貢献します。さらに、システム温度の低減と性能の向上により、熱管理にも配慮しています。これらの特徴は、お客様のアプリケーションの全体的な小型化に貢献し、大幅な省スペース化、システムコストの削減、設計の容易な製品化を可能にします。
供給体制について
OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFETファミリーのPQFN2×2ファミリーは、販売されています。詳細は下記のリンクをご覧ください。
・PQFN2×2 25V:2×2mm2,RDS(on)2.4mΩ(ISK024NE2LM5:https://clk.nxlk.jp/m/zNmm42kzC)
・PQFN2×2 30V:2×2mm2,RDS(on)3.6mΩ(ISK036N03LM5:https://clk.nxlk.jp/m/ObrlyzROC)
また、製品の詳細は https://clk.nxlk.jp/m/syiTvCP0C でご覧いただけます。
インフィニオンのエネルギー効率への貢献に関する詳細情報は https://clk.nxlk.jp/m/vKGXexWWC をご覧ください。
クラス最高のPQFN2×2デバイスは、業界最小のオンステート抵抗で、新しい電力密度とエネルギー効率の高い次元を実現します。2×2mm2の小さなパッケージフットプリントは、PCBレイアウトの配線自由度を高めます。優れた電気的性能と相まって、このソリューションは、最終アプリケーションの電力密度およびフォームファクタの改善にさらに貢献します。さらに、システム温度の低減と性能の向上により、熱管理にも配慮しています。これらの特徴は、お客様のアプリケーションの全体的な小型化に貢献し、大幅な省スペース化、システムコストの削減、設計の容易な製品化を可能にします。
供給体制について
OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFETファミリーのPQFN2×2ファミリーは、販売されています。詳細は下記のリンクをご覧ください。
・PQFN2×2 25V:2×2mm2,RDS(on)2.4mΩ(ISK024NE2LM5:https://clk.nxlk.jp/m/zNmm42kzC)
・PQFN2×2 30V:2×2mm2,RDS(on)3.6mΩ(ISK036N03LM5:https://clk.nxlk.jp/m/ObrlyzROC)
また、製品の詳細は https://clk.nxlk.jp/m/syiTvCP0C でご覧いただけます。
インフィニオンのエネルギー効率への貢献に関する詳細情報は https://clk.nxlk.jp/m/vKGXexWWC をご覧ください。