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ワイドバンドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) CoolGaN

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2019/11/15

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  • ワイドバンドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) CoolGaN
小型・軽量設計ながら高効率
CoolGaN】は、極めて保守的な保証モデルを用いた包括的試験を実施し、予測製品寿命:15年以上、故障率:1FIT未満を実現したパワーIC。小型・軽量設計ながらクラス最高レベルの効率とパワー密度を実現。窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があり、特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性を持つ。シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに適している。

製品カタログ・資料

ワイドバンドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) CoolGaN
ワイドバンドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) CoolGaN

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:10.12MB【CoolGaN】は、極めて保守的な保証モデルを用いた包括的試験を実施し、予測製品寿命:15年以上、故障率:1FIT未満を実現したパワーIC。小型・軽量設計ながらクラス最高レベルの効率とパワー密度を実現。窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があり、特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性を持つ。シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに適している。

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