車載対応GaN(窒化ガリウム) IC LMG3522R030-Q1
最終更新日:2023/06/26
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ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、AEC-Q100認証済み
【LMG3522R030-Q1】は、最大150V／nsのスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバおよび保護機能を内蔵したGaN FET。同社の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバよりも広いスイッチングSOAをもたらし、低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できる。EMIを制御するための調整可能なゲート・ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むそのほかの機能を使うと、BOMコスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できる。
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製品カタログ・資料
- 車載対応GaN(窒化ガリウム) IC LMG3522R030-Q1
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.94MB最大150V／nsのスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバおよび保護機能と温度レポート機能を内蔵したGaN FET「LMG3522R030-Q1」 スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としており、設計者は高い電力密度と効率を実現できる
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