ガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ UCC21755-Q1
最終更新日:2023/06/28
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最大±10Aのピーク・ソース／シンク電流を供給
【UCC21755-Q1】は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高2121V(DC)で動作するSiC MOSFETおよびIGBT用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ。入力側はSiO2容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大1.5kVRMSの動作電圧に対応し、長寿命の絶縁バリアにより12.8kVPKのサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、150V／nsを超える同相ノイズ耐性(CMTI)を実現。高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源UVLOなどの最新保護機能を備えているため、SiCおよびIGBTのスイッチング動作や堅牢性を最適化できる。
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製品カタログ・資料
- ガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ UCC21755-Q1
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：2.64MBUCC21755-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。
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