SiC MOSFET/高電力用 IGBT向けローサイドゲートドライバ IX4352NEシリーズ

製品カタログ・資料

SiC MOSFET／高電力用 IGBT向けローサイドゲートドライバ IX4352NEシリーズ

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.76MB【IX4352NEシリーズ】は、SiC-MOSFETと高電力用IGBTの駆動に特化して設計されたローサイドゲートドライバ。9Aソースおよびシンク出力により、スイッチング損失を最小限に抑えながら、ターンオン、ターンオフのタイミングを調整することができる。負電荷レギュレータを内蔵し、ゲート駆動バイアスを負にすることで、dV／dt耐性とターンオフの高速化を可能にしている。脱飽和検出回路は、SiC-MOSFETの過電流状態を検出し、ソフトターンオフを開始することで、潜在的に有害なdV／dt事象を防止する。ロジック入力はTTLとCMOSの互換性があり、ゲートドライブバイアス電圧が負の場合でもレベルシフトする必要がない。保護機能として、UVLOおよびサーマルシャットダウン検出機能を備えており、FAULT出力はオープンドレインで、マイコンに故障を通知する。動作温度範囲－40～＋125℃に対応し、熱対策済みの16ピン狭小SOICパッケージで提供される。