ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET
最終更新日:2023/08/17
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- ・現行テクノロジー比でRDS(on)を最大30%削減
・標準パッケージと比較して優れた温度管理オプション
・レイアウトの可能性を最適化
・2つのフットプリントバージョンを提供
・最高の電力密度と性能
・フ物理寸法を小型化
・PCB寄生容量を最適化
・Rth(j-a)とRth(j-c)の低減
・電力損失のより優れた転移
・両面冷却に対応(露出クリップ)
・ソースダウン型は既存のPCBに容易に適合
・センターゲートオプションによって並列化の最適化を実現
・より小型のパッケージでSuper SO8の性能を提供
・より高い電流容量
製品カタログ・資料
- ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.34MB本製品は、ドライブズ、テレコム、SMPS、サーバなどをはじめとした、さまざまな最終アプリケーションにおける多くの課題解決をサポートするパワーMOSFET。3.3×3.3mmのソースダウン型パッケージに封止されたこの25Vデバイスは、25Vから最大150Vの範囲にわたりラインナップされており、今後2年のうちにすべてがリリースされる予定となっている。「ソースダウン」バージョンと、並列化向けに最適化されている「ソースダウン・センターゲート」バージョンの2つの異なるフットプリントバージョンでリリース。
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