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ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2020/03/17

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  • ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET
新たな業界標準となるRDS(on)とレイアウト機能の向上を同時に実現
本製品は、ドライブズ、テレコム、SMPS、サーバなどをはじめとした、さまざまな最終アプリケーションにおける多くの課題解決をサポートするパワーMOSFET。3.3×3.3mmのソースダウン型パッケージに封止されたこの25Vデバイスは、25Vから最大150Vの範囲にわたりラインナップされており、今後2年のうちにすべてがリリースされる予定となっている。「ソースダウン」バージョンと、並列化向けに最適化されている「ソースダウン・センターゲート」バージョンの2つの異なるフットプリントバージョンでリリース。

その他の情報

    ・現行テクノロジー比でRDS(on)を最大30%削減
    ・標準パッケージと比較して優れた温度管理オプション
    ・レイアウトの可能性を最適化
    ・2つのフットプリントバージョンを提供

    ・最高の電力密度と性能
    ・フ物理寸法を小型化
    ・PCB寄生容量を最適化
    ・Rth(j-a)とRth(j-c)の低減
    ・電力損失のより優れた転移
    ・両面冷却に対応(露出クリップ)
    ・ソースダウン型は既存のPCBに容易に適合
    ・センターゲートオプションによって並列化の最適化を実現
    ・より小型のパッケージでSuper SO8の性能を提供
    ・より高い電流容量

製品カタログ・資料

ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET
ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.34MB本製品は、ドライブズ、テレコム、SMPS、サーバなどをはじめとした、さまざまな最終アプリケーションにおける多くの課題解決をサポートするパワーMOSFET。3.3×3.3mmのソースダウン型パッケージに封止されたこの25Vデバイスは、25Vから最大150Vの範囲にわたりラインナップされており、今後2年のうちにすべてがリリースされる予定となっている。「ソースダウン」バージョンと、並列化向けに最適化されている「ソースダウン・センターゲート」バージョンの2つの異なるフットプリントバージョンでリリース。

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〒 141-0032  品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F

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    社名:
    インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
    住所:
    〒 141-0032
    品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F
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