製品ナビは、工業製品からエレクトロニクス、IT製品まで、探している製品が見つかります

ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

このページを印刷
  • ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET
新たな業界標準となるRDS(on)とレイアウト機能の向上を同時に実現
本製品は、ドライブズ、テレコム、SMPS、サーバなどをはじめとした、さまざまな最終アプリケーションにおける多くの課題解決をサポートするパワーMOSFET。3.3×3.3mmのソースダウン型パッケージに封止されたこの25Vデバイスは、25Vから最大150Vの範囲にわたりラインナップされており、今後2年のうちにすべてがリリースされる予定となっている。「ソースダウン」バージョンと、並列化向けに最適化されている「ソースダウン・センターゲート」バージョンの2つの異なるフットプリントバージョンでリリース。

その他の情報

    ・現行テクノロジー比でRDS(on)を最大30%削減
    ・標準パッケージと比較して優れた温度管理オプション
    ・レイアウトの可能性を最適化
    ・2つのフットプリントバージョンを提供

    ・最高の電力密度と性能
    ・フ物理寸法を小型化
    ・PCB寄生容量を最適化
    ・Rth(j-a)とRth(j-c)の低減
    ・電力損失のより優れた転移
    ・両面冷却に対応(露出クリップ)
    ・ソースダウン型は既存のPCBに容易に適合
    ・センターゲートオプションによって並列化の最適化を実現
    ・より小型のパッケージでSuper SO8の性能を提供
    ・より高い電流容量

製品カタログ・資料

ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET
ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFET

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.34MB本製品は、ドライブズ、テレコム、SMPS、サーバなどをはじめとした、さまざまな最終アプリケーションにおける多くの課題解決をサポートするパワーMOSFET。3.3×3.3mmのソースダウン型パッケージに封止されたこの25Vデバイスは、25Vから最大150Vの範囲にわたりラインナップされており、今後2年のうちにすべてがリリースされる予定となっている。「ソースダウン」バージョンと、並列化向けに最適化されている「ソースダウン・センターゲート」バージョンの2つの異なるフットプリントバージョンでリリース。

会社情報

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント

https://www.infineon.com/cms/jp/
詳細はこちら

ソースダウン型PQFN 3.3×3.3mmパッケージ OptiMOS パワーMOSFETのお問い合わせ

お問い合わせはこちら
企業ロゴ

新着製品情報

OptiMOS 6 Power MOSFET
OptiMOS 6 Power MOSFETインフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
600V パワーMOSFET Co-Pack FRED Diode付き X2-Class Boost Topologyシリーズ
600V パワーMOSFET Co-Pack FRED Diode付き X2-Class…Littelfuseジャパン合同会社
再生産 オンセミ社製品の継続供給サポート
再生産 オンセミ社製品の継続供給サポートRochester Electronics Ltd
小型SOT-223-3パッケージ 600V耐圧Super Junction MOSFET R600xxND4
小型SOT-223-3パッケージ 600V耐圧Super Junction MO…コアスタッフ株式会社
SiC MOSFETモジュール
SiC MOSFETモジュール(株)三社電機製作所

ランキング

20〜60V相補型MOSFET
20〜60V相補型MOSFETインフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
ROHM社製 SuperJunction MOSFET PrestoMOS R60xxJNxシリーズ
ROHM社製 SuperJunction MOSFET PrestoMOS R60xxJNx…コアスタッフ株式会社
強化型SiC MOSFET LSIC1MO120E0160シリーズ
強化型SiC MOSFET LSIC1MO120E0160シリーズLittelfuseジャパン合同会社
インフィニオン製MOSFET/IGBT
インフィニオン製MOSFET/IGBTRochester Electronics Ltd

企業基本情報

社名:
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
住所:
〒 150-0002
渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
Web:
https://www.infineon.com/cms/jp/

おすすめ情報

  • <24GHzレーダーデモキット>

    本製品は、従来の24GHzレーダー性能を超える高精度な距離測定を可能にする24GHzレーダーデモキット。距離測定精度:+/-5cm、測定距離範囲:0.1~25m。24GHzトランシーバICにはBGT24MTR11を採用。24GHz VCO/送信/受信回路をワンチップ化。信号処理部に独自のアルゴリズムを採用。