SiC MOSFETモジュール
最終更新日:2023/09/20
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独自のパッケージ「Techno Block」と「DioMOS技術」を採用
本製品は、従来のSi（シリコン）を超える低損失、高速動作が可能なSiC MOSFETモジュール。還流ダイオード機能を内蔵し、低いオン抵抗を実現したSiC MOSFETチップを搭載。Vgs(th)が高いため、誤動作に強い。低インダクタンス設計でサージ電圧を抑制。独自の両面はんだ接合、トランスファーモールド採用の小型・高放熱・高信頼性を特長とし、長期信頼性の向上と小型化を実現する独自のパッケージ「Techno Block」を採用。主な用途は産業用インバータ、DC-DCコンバータ、EV充電器、共振電源。
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ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.41MB本製品は、従来のSi（シリコン）を超える低損失、高速動作が可能なSiC MOSFETモジュール。還流ダイオード機能を内蔵し、低いオン抵抗を実現したSiC MOSFETチップを搭載。Vgs(th)が高いため、誤動作に強い。低インダクタンス設計でサージ電圧を抑制。独自の両面はんだ接合、トランスファーモールド採用の小型・高放熱・高信頼性を特長とし、長期信頼性の向上と小型化を実現する独自のパッケージ「Techno Block」を採用。主な用途は産業用インバータ、DC-DCコンバータ、EV充電器、共振電源。
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