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ローム社製 20V耐圧Nch MOSFET RA1C030LD

コアスタッフ株式会社

最終更新日:2024/01/19

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  • ローム社製 20V耐圧Nch MOSFET RA1C030LD
小型化と同時に低電力損失を実現
【RA1C030LD】は、ウェアラブル機器、スマートフォンなど小型・薄型機器のスイッチングに最適な、小型かつ高効率の20V耐圧Nch MOSFET。ローム社独自のICプロセスを応用したウエハレベルチップサイズパッケージ「DSN1006-3」(1.0×0.6mm)を採用しており、小型化と同時に低電力損失を実現。ドレイン・ソース間電圧：20.0V、ドレイン電流(VGS＝4.5V)：3.0A、オン抵抗(VGS＝4.5V)(Typ.)：80.0mΩ、ゲート・ドレイン間電荷量(VGS＝4.5V)(Typ.)：0.2nC。
    　　　　　　　　
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ローム社製 20V耐圧Nch MOSFET
ローム社製 20V耐圧Nch MOSFET

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：5.23MBウェアラブル機器、スマートフォンなど小型・薄型機器のスイッチングに最適な、小型かつ高効率の20V耐圧Nch MOSFET「RA1C030LD」。

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