大電流／高耐圧パワーMOSFET Q2シリーズHiPerFET
最終更新日:2018/07/28
このページを印刷
ゲートチャージQgを25％、ゲート抵抗Rgを100x削減
【Q2シリーズHiPerFET】は、ゲートチャージQgおよび内部ゲート抵抗Rgを大幅に削減、周波用途に開発された大電流・高耐圧パワーMOSFET。500V、550V、600V、1000V、1200Vのシリーズを揃え、RDS(ON)は0.38-0.07Ω（14-80A）を達成。パッケージはリード端子のTO247非絶縁、絶縁タイプ及びスクリュー端子のSOT-227ミニブロックパッケージ。主な用途はAC-DCパワーサプライ、モータドライブなど。
一緒に閲覧されている製品
大電流／高耐圧パワーMOSFET Q2シリーズHiPerFETのお問い合わせ
その他製品一覧
強化型SiC MOSFET、1200V、80mO…
ローム社製 20V耐圧Nch MOSFET …
ルネサス社製 パワー半導体製品
2500〜4700V Nチャネル スタン…
40Amp 標準高温SCR SJxx40xシリ…
1200V/25mOhm N-チャネル SiC M…
600V～700V パワーMOSFET X2-Cl…
ディスクリート MOSFET X2-Clas…
1200V/80mOhm N-チャネル SiC M…
SiC MOSFET LSIC1MO120G0120シ…
1200V/40mOhm N-チャネル SiC M…
STマイクロエレクトロニクス認…
シリコンカーバイドMOSFET LSIC…
強化型NチャンネルSiC MOSFET L…
150〜650V Nチャネル ウルトラ…
ディスクリート MOSFET X2-Clas…
低ゲート容量パワーMOS N-ch 65…
CMOSシステムリセットIC PST4X…
コイル＋MOSFETモジュール BMR5…
Nch SiCパワーMOSFET SCT3022KL…
