大電流／高耐圧パワーMOSFET Q2シリーズHiPerFET
最終更新日:2018/07/28
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ゲートチャージQgを25％、ゲート抵抗Rgを100x削減
【Q2シリーズHiPerFET】は、ゲートチャージQgおよび内部ゲート抵抗Rgを大幅に削減、周波用途に開発された大電流・高耐圧パワーMOSFET。500V、550V、600V、1000V、1200Vのシリーズを揃え、RDS(ON)は0.38-0.07Ω（14-80A）を達成。パッケージはリード端子のTO247非絶縁、絶縁タイプ及びスクリュー端子のSOT-227ミニブロックパッケージ。主な用途はAC-DCパワーサプライ、モータドライブなど。
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