低ゲート容量パワーMOS N-ch 650V 80A OSG65R038HZF
最終更新日:2025/03/13
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シリコンの限界を超えたGreenMOSテクノロジー
【OSG65R038HZF】は、650V 80Aのオリエンタルセミコンダクター社製TO-247パッケージMOSFET。オン抵抗38mΩに加え、Qgが172nCと大変低く、スイッチング性能指数FOM(Rds(on)×Qg)を大幅に改善。Rds(on)×Qgのスペックを重要視することで、多少オン抵抗が競合製品より高くてもダイナミック損失を低減。システム効率の改善や、発熱温度の低減が可能。また、GreenMOSのスイッチング周波数は2MHzと、GaN HEMTに近く、AC／DC回路においては小型部材選定が可能。
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