600V~1000V ウルトラジャンクションパワーMOSFET X-Class シリーズ
最終更新日:2020/11/02
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- ・極めて低いオン抵抗RDS(ON)とゲート電荷量Qg
・ファストボディダイオード
・高い耐久性のdv/dt
・アバランシェ定格
・小型パッケージインダクタンス
・国際規格パッケージ
製品カタログ・資料
- 600V~1000V ウルトラジャンクションパワーMOSFET X-Class シリーズ
ファイル形式:PDF ファイルサイズ:0.29MB【X-Classシリーズ】は、高速ボディダイオードを備えたウルトラジャンクションXクラスパワーMOSFET。低オンステート抵抗を誇り耐久性に優れており、高電圧電力変換アプリケーション内での超高出力密度を実現する。電荷補償の原理と独自のプロセス技術を使用して開発されているため、低ゲート電荷と優れたdv/dt性能を発揮する。ファストソフトリカバリ ボディダイオードを備えることにより、スイッチング損失および電磁妨害(EMI)を低減する。
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