その他の情報
- ・最大39dBmの高い直線性
・低消費電流、最低電源電圧1.6V
・最大7.125GHzの高いポート間絶縁と挿入損失の大幅低減
・5G-SRSアプリケーション向けの高速スイッチング速度
・GPIO制御インターフェース
・一般的なアプリケーションではデカップリング コンデンサが不要
・RoHSおよびWEEE対応パッケージ
・超薄型鉛フリープラスチックパッケージ(MSL-1, 260℃ IPC/JEDEC J-STD-20)
・サイズ:1.1×1.5mm
製品カタログ・資料
- DPDT GPIO 0.4-7.125GHz アンテナ クロススイッチ BGSX22G6U10
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.62MB【BGSX22G6U10】は、GSM、WCDMA、LTEおよび5Gアプリケーション向けに特化して設計されたアンテナ クロススイッチ。最大7.125GHzの高周波数においても挿入損失を非常に低く抑え、高調波の低減、RFポート間の高い絶縁を実現。また、高速スイッチングが可能なため、5G-SRSアプリケーションにも対応する。
関連製品カタログ・資料
TRAVEO T2Gマイクロコントローラ CYT4DN
小型汎用SP4T RFスイッチ BGSA143GL10
高速レベルシフト 650VハーフブリッジSOIゲートドライバ EiceDRIVER
60V StrongIRFET 2 パワーMOSFET
シリアルインタフェースパワーコントローラ SPOC+2
OPTIGA TPM SLB 9672 RPI 評価ボード
22 kW汎用ドライブ用リファレンスデザイン REF-22K-GPD-INV-Easy3B
第5世代CAPSENSE搭載マイクロコントローラー PSoC 4000T
ARMベース32ビット車載MCU Traveo II
ワンパッケージ・ソリューション OPTIGA Authenticate On
会社情報
インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。
〒 150-0002 渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
https://www.infineon.com/cms/jp/詳細はこちら
製品ご紹介
高耐圧スーパージャンクションMOSFETファミリー 600V CoolMOS S7
評価ボード EVAL-2ED2101-HB-LLC
XHP 3 6.5kV ハーフブリッジモジュール FF225R65T3E3
車載用12V/24VスマートアナログハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM
MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74
組込みセキュリティソリューション OPTIGA TRUST M SLS32AIA
ハーフブリッジ誘導加熱評価ボード HW65R62EDS06J
OptiMOS IPOL 電圧レギュレータ IR388
パワーMOSFET 650V CoolMOS CFD7A 上面放熱(TSC)/下面放熱(BSC)QDPAKパッケージ
リファレンスデザイン REF_ICL8810_LED_43W_BM