200VハイサイドTDIゲートドライバーIC EiceDRIVER 1EDN71x6G

その他の情報

・ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性
・外付けゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化
・アクティブミラークランプで誘導ターンオンを回避
・オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘発されるターンオンイミュニティを追加することができる
・デッドタイム中のブートストラップコンデンサーの過充電を回避

製品カタログ・資料

200VハイサイドTDIゲートドライバーIC EiceDRIVER 1EDN71x6G

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：12.41MB【EiceDRIVER 1EDN71x6G】は、インフィニオン CoolGaN ショットキーゲート(SG)HEMT、また、その他のGaN SG HEMTやSi MOSFETの駆動に最適化されたシングルチャネルのゲートドライバーIC。高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる重要な機能がいくつか搭載されており、これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能なチャージポンプなどがある。TDI機能により、同相電圧が150V(スタティック)および200V(ダイナミック)以下であれば、ゲートドライバーの出力状態は、ドライバーの基準(グランド)電位に関わらず、2つの入力の電圧差によってのみ制御される。これにより、ローサイドアプリケーションにおけるグランドバウンスによる誤作動のリスクを排除するとともに、ハイサイドアプリケーションにも対応することが可能。

会社情報

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカードセキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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