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【カタログプレビュー】IGBTアクティブクランプアプリケーションにおける高電圧TVSダイオードの使用

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、その使いやすさや電流駆動能力から、パワーインバータ、産業用ドライブ、電気自動車用充電スタンド、モータ制御、IH 調理器などに広く使用されています。今日、パワー半導体製造業者は、より高い電力密度を持ったIGBTモジュールを提供しています。電力密度限界は、消費され得る最大電力損失によって決定されます。その最適化基準は、パッケージング技術、並びに半導体チップの伝導損失とスイッチング損失です。モジュールの高い電流密度は、高いスイッチング速度と共に、通常のスイッチング動作及び過負荷条件下の両方において、駆動回路により大きな要求を課します。アクティブクランプスイッチング技術は、特に高速鉄道及び自動車のトラクション用途において、現代の高出力IGBTを高い信頼性をもってどのように使用することができるかを示すソリューションを提供しています。
発行元：Littelfuseジャパン合同会社
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企業基本情報

社名：
Littelfuseジャパン合同会社
住所：
〒 105-0014
東京都 港区芝3-24-7 芝エクセージビルディング5階
Web：
https://www.littelfuse.co.jp/

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