本製品は、バッテリー駆動アプリケーション、バッテリー駆動ツール、バッテリー管理、低電圧駆動など、ノーマルレベル(より高い閾値電圧)が要求されるアプリケーションに適したOptiMOS 6 パワーMOSFET。ノーマルレベル・ポートフォリオのより高いVthは、より大きなゲート電圧スパイクのみが不要なターンオンを引き起こすことを意味し、QGD／QGS比(CGD／CGS分割比)を小さくすることで、ゲート電圧スパイクのピークを抑え、不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることができる。「ISC007N04NM6」は、0.7mΩという非常に低いRDS(on)を実現。