【ISC010N06NM5】は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と高い連続電流(最大330A)を実現したパワーMOSFET。OptiMOS 3および5の製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現し、システムコストの低減と性能向上の必要性に対応している。逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性を向上させる。