本製品は、第1世代 CoolSiC MOSFETから進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプのパワーモジュール。推奨VGS(on)15～18VおよびVGS(off)0～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を大幅に拡大し、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーするために最大ゲートソース電圧を＋23Vと-10Vに拡大している。VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、同時にRDSon性能を125℃で約12％向上。リードタイプには、Easy 1B、2B、3Bパッケージのそれぞれ6パック、3レベルNPC2、ハーフブリッジトポロジーがある。