本製品は、PQFNパッケージ(3.3×3.3mm) に搭載されたソースダウン両面冷却の新しいOptiMOSパワーMOSFET。25Vから150Vまでをラインアップ予定。ソースダウン技術は、製品内部のシリコンダイを上下反転させることで、デバイスとシステムレベルで多くの利点を提供する。ドレイン電位がサーマルパッド上でPCBに接続されるのではなく、ソース電極がPCBに接続される。ソースダウンは、現在のソリューションに比べ、熱性能の向上、電力密度の改善、レイアウトの最適化など、多くの利点を提供する。システムレベルの利点としては、効率の向上、アクティブ冷却要件の低減、熱管理により効果的なレイアウトが挙げられる。ドライブ、テレコム、SMPS、サーバなど、さまざまなエンドアプリケーションに貢献する。