本製品は、PQFN 5×6mm2ソースダウンパッケージの低耐圧および中耐圧パワーMOSFET。シリコンチップのアクティブ側を部品の底面側に向けていることがソースダウンパッケージの主要コンセプトであり、シリコンチップ上部のドレイン側の強化クリップと組み合わせることで、パッケージ寄生が大幅に低減され、熱性能はさらに向上する。BSC(底面冷却)、センターゲートタイプで、特に並列化に最適化されている。