【2EDL803X】は、ハーフブリッジ構成でハイサイドとローサイドの両MOSFETを駆動するように設計されたゲートドライバー。フローティング ハイサイド ドライバーは、ブートストラップ電圧120Vまで動作するハイサイドMOSFETを駆動できる。ハイサイド バイアス電圧は、内蔵ブートストラップ ダイオードを使用したブートストラップ技術により生成され、ドライバーの入力はTTLロジック互換で、－10～20Vまでの入力コモンモード振幅に耐えることができる。独立入力により、ハイサイドとローサイドのドメインを個別に制御可能。ハイサイドとローサイドの両方の電源に低電圧誤動作防止機能(UVLO)があり、電源不足の場合、対応する出力が強制的にローレベルになる。SON-8ピン4×4mm、SON-10ピン4×4mm、SON-10ピン3×3mmパッケージで提供。