英国Logitech社ＬＰ６００精密研磨装置はあらゆる材料のアプリケーションに対応でき、そのラッピング、ポリッシングプロセスにおいて最高の利便性を発揮します。
特に　MEMS用Waferの平坦加工　GaN　SiC　サファイア等の硬質化合物基板の
表面　裏面加工等に適しています。
最大4台のワークステーションを搭載し　６インチサイズのウエハを同時に４枚研磨、
２インチサイズのウエハであれば２８枚同時研磨することができます。
ジョイスティクでの簡単操作で　プレートの回転スピード　スラリーの供給　
その他の条件を設定でき　+/−１μ以下の高精度で　再現性の高いラッピング、ポリッシングを実現します。
試作ライン及び中/小規模の量産用に最適です。