ROHM社製 パワーMOSFET RY7P250BM
最終更新日:2025/12/10
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データセンタ、AI、産業用途向け
【RY7P250BM】は、48V電源システムのホットスワップ回路に最適化されており、AIサーバ、データセンタ、産業機器、エネルギー貯蔵用途に適したパワーMOSFET。10msで16A、1msで50Aの電流供給が可能で、従来のMOSFETでは対応できなかった高負荷でも安定した動作を実現する。既存設計のドロップイン置き換えとしても使用でき、システムの電源を入れたまま安全にモジュール交換が可能。コンパクトな8080サイズのパッケージに、レイン-ソース間電圧(VDSS)100V、ドレイン電流(ID)±300A、電力損失(PD)340Wを収納。業界トップクラスの低オン抵抗1.86mΩ(VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃)を実現し、同サイズの従来型広範囲SOA対応100V MOSFET(2.28mΩ)と比較して、約18％低く抑えられており、ホットスワップコントローラ(HSC)やAIサーバでの使用時に電力損失と発熱を最小化できる。
製品カタログ・資料
- ROHM社製 パワーMOSFET RY7P250BM
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