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12MビットReRAM(抵抗変化型メモリ) MB85AS12MT

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

最終更新日:2022/04/11

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  • 12MビットReRAM(抵抗変化型メモリ) MB85AS12MT
1.6~3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作
【MB85AS12MT】は、12Mビットのメモリ容量を約2×3mmの小型パッケージに格納した不揮発性メモリ。同社8Mビット品と同じWL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)を採用し、同一のパッケージサイズとバンプ配置でありながら、メモリ容量を1.5倍に拡張。5MHz動作時の読出し電流が平均0.15mAと少なく、補聴器やスマートウォッチなどのウェアラブルデバイスに最適。

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12MビットReRAM(抵抗変化型メモリ) MB85AS12MT
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8MビットQuad SPI FRAM MB85RQ8MLX
8MビットQuad SPI FRAM MB85RQ8MLX富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

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