MMIC/ディスクリート トランジスタ
最終更新日:2021/12/17
このページを印刷高PAE(電力付加効率)と高直線性を兼備
Microchip Technology社は、最大20GHzの周波数に対応したMMICとディスクリート トランジスタによる同社のGaN(窒化ガリウム)RF(無線周波数)パワーデバイスポートフォリオを拡充した。従来製品と同様に、高い電力密度と歩留まり、高電圧動作、接合部温度255℃で100万時間を超える長寿命を実現できるGaN on Sic/Si技術を使って製造。5Gから電子戦、衛星通信、民間および防衛向けレーダーシステム、テスト機器までの各種アプリケーションにおいて優れた性能を提供する高PAE(電力付加効率)と高直線性を兼備。