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次世代1チャンネル絶縁型ゲートドライバー EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx) ファミリー

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • 次世代1チャンネル絶縁型ゲートドライバー EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx) ファミリー
SiC MOSFET向けUVLO搭載
EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)ファミリー】は、ミラークランプ機能などのオプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーファミリー。最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供し、従来のIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、あらゆるタイプのスイッチに最適。より高いUVLOとアクティブミラークランプ機能は、寄生ターンオンを回避し、アプリケーションの安全性を向上させており、SiC MOSFETに適している。UL1577認証を受けており、太陽光発電、EV充電、蓄電システムなど、幅広いアプリケーションに対応する。

その他の情報

    ・(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用
    ・標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチング7ns
    ・伝搬遅延90ns(入力フィルター30nsを含む)
    ・絶対最大出力電源電圧:40V
    ・ソースシンクが分離独立した出力またはミラークランプ
    ・沿面距離8mm以上のDSO-8 300milワイドボディパッケージ
    ・ヒステリシス付き12V低電圧ロックアウト(UVLO)

製品カタログ・資料

次世代1チャンネル絶縁型ゲートドライバー EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx) ファミリー
次世代1チャンネル絶縁型ゲートドライバー EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx) ファミリー

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.41MB【EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)ファミリー】は、ミラークランプ機能などのオプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーファミリー。最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供し、従来のIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、あらゆるタイプのスイッチに最適。より高いUVLOとアクティブミラークランプ機能は、寄生ターンオンを回避し、アプリケーションの安全性を向上させており、SiC MOSFETに適している。UL1577認証を受けており、太陽光発電、EV充電、蓄電システムなど、幅広いアプリケーションに対応する。

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