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200 VハイサイドTDIゲートドライバーIC EiceDRIVER 1EDN71x6U

最終更新日:2023/08/17

GaN SG HEMTおよびMOSFET用

【1EDN71x6U】は、CoolGaNショットキーゲート(SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された1チャネルゲートドライバーIC。Truly differentiallogic input(TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を可能にするいくつかの主要な機能を備えている。TDI機能によりゲートドライバーの出力状態は、同相電圧が150V(スタティック)および200V(ダイナミック)以下であれば、ドライバーの基準(グランド)電位に依存せず、2つの入力の電圧差のみによって制御されるため、ローサイドのアプリケーションにおけるグランドバウンスによる誤動作のリスクを排除すると同時に、ハイサイドのアプリケーションにも対応できる。1.8×1.8mmの小型パッケージのTSNP-7に搭載されているドライバーファミリー。

半導体デバイス│パワーマネージメントIC:ゲートドライバ│

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: 200 VハイサイドTDIゲートドライバーIC EiceDRIVER 1EDN71x6U
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.59MB【1EDN71x6U】は、CoolGaNショットキーゲート(SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された1チャネルゲートドライバーIC。Truly differentiallogic input(TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を可能にするいくつかの主要な機能を備えている。TDI機能によりゲートドライバーの出力状態は、同相電圧が150V(スタティック)および200V(ダイナミック)以下であれば、ドライバーの基準(グランド)電位に依存せず、2つの入力の電圧差のみによって制御されるため、ローサイドのアプリケーションにおけるグランドバウンスによる誤動作のリスクを排除すると同時に、ハイサイドのアプリケーションにも対応できる。1.8×1.8mmの小型パッケージのTSNP-7に搭載されているドライバーファミリー。

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