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1200Vハーフブリッジ ゲートドライバー 2ED132xS12xファミリー

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • 1200Vハーフブリッジ ゲートドライバー 2ED132xS12xファミリー
ブートストラップ ダイオードとOCPを内蔵、寄生サイリスタ構造がなく、-100Vから700nsまでのNTSOAを保証
本製品は、商用空調システム、ヒートポンプ、サーボドライブ、産業用インバーター、ポンプ、ファン(最大10kW)などの高出力アプリケーション向けに開発された、1200V SOIハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC。DSO-16とDSO-20の2種類のパッケージで、いずれも300milのワイドボディパッケージ。IGBTだけでなく、1200VのSiC MOSFETにも適合している。VSピンの負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を提供(SOIは定義上、寄生サイリスタ構造を持たない)。この結果、700nsのパルスを繰り返すと100Vの-VS過渡電圧耐性が保証される。

その他の情報

    ・超高速HVブートストラップダイオード内蔵 (1V(typ.) @0.3mA、30Ω(typ.))
    ・ハイサイド/ローサイド用アクティブミラークランプ (AMC、電流容量 2.3A)
    ・短絡クランプ (SCC、0.5A、10us 耐量)
    ・シュートスルー保護機能 (ハイサイド/ローサイド) 搭載
    ・RFE 1ピンは、3つの機能 (イネーブル、フォルトアウト、フォルトクリアタイマー) とUVLO保護に対応
    ・高精度±5%コンパレータによる超高速過電流保護機能

製品カタログ・資料

1200Vハーフブリッジ ゲートドライバー 2ED132xS12xファミリー
1200Vハーフブリッジ ゲートドライバー 2ED132xS12xファミリー

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.03MB本製品は、商用空調システム、ヒートポンプ、サーボドライブ、産業用インバーター、ポンプ、ファン(最大10kW)などの高出力アプリケーション向けに開発された、1200V SOIハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC。DSO-16とDSO-20の2種類のパッケージで、いずれも300milのワイドボディパッケージ。IGBTだけでなく、1200VのSiC MOSFETにも適合している。VSピンの負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を提供(SOIは定義上、寄生サイリスタ構造を持たない)。この結果、700nsのパルスを繰り返すと100Vの-VS過渡電圧耐性が保証される。

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車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント

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