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2300V／6.5A・3kV(rms) 1チャネル絶縁ゲートドライバー(1ED3142MU12F)向け評価ボード Eval-1ED3142MU12F-SiC

最終更新日:2023/08/18

300Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能

【Eval-1ED3142MU12F-SiC】は、2つのゲートドライバーIC「1ED3142MU12F」によるハーフブリッジ構成で、IGBT、MOSFET、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動する評価ボード。2個のCoolSiC SiC MOSFET IMZA120R020M1Hが搭載されており、追加のゲートドライバーICは、高電圧側からロジック制御側への過電流フィードバック信号を絶縁し、高速オペアンプを過電流検出用コンパレータとして使用する。ダブルパルステストに最適。内蔵フィルタにより外付けフィルタは不要。製品間ターンオン伝搬遅延マッチング(最大7ns)、経年変化、電流、温度による変化がなく、アプリケーションの高い堅牢性を実現。

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製品カタログ・資料

: 2300V／6.5A・3kV(rms) 1チャネル絶縁ゲートドライバー(1ED3142MU12F)向け評価ボード Eval-1ED3142MU12F-SiC
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.14MB【Eval-1ED3142MU12F-SiC】は、2つのゲートドライバーIC「1ED3142MU12F」によるハーフブリッジ構成で、IGBT、MOSFET、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動する評価ボード。2個のCoolSiC SiC MOSFET IMZA120R020M1Hが搭載されており、追加のゲートドライバーICは、高電圧側からロジック制御側への過電流フィードバック信号を絶縁し、高速オペアンプを過電流検出用コンパレータとして使用する。ダブルパルステストに最適。内蔵フィルタにより外付けフィルタは不要。製品間ターンオン伝搬遅延マッチング(最大7ns)、経年変化、電流、温度による変化がなく、アプリケーションの高い堅牢性を実現。

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