その他の情報
- ・動作周波数:1164~1615MHz
・異なるアプリケーションに対応した複数の動作モード
・消費電流は最大1.5mA
・広い電源電圧:1.1~3.3V
・高い挿入パワーゲイン:最大21dB
・低い雑音指数:0.7dB
・2kV HBM ESD保護(AIピンを含む)
・広帯域設計によりL1、L2、L5の同時動作が可能
製品カタログ・資料
- デュアルバンドGPS LNA BGA525N6
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.8MB【BGA525N6】は、ウェアラブルやモバイルセルラーIoTアプリケーションに特化し、バンドL1/L2/L5のグローバルナビゲーション衛星システム(GNSS)信号感度を向上させるよう設計されたデュアルバンドGPS LNA。LNAの高ゲインと超低雑音指数により、システムの感度が従来のLNAに比べて大幅に向上。標準モードに加え、低消費電力モードと高ゲインモードがあり、低消費電力モード動作でのLNAの消費電力は2mW未満で、貴重なバッテリー電力を節約できるため、小型バッテリー駆動のGNSS機器に好適。高ゲインモードで動作するLNAは、最大21dBのゲインを提供し、最高の性能ときわめて短い初期位置算出時間(TTFF: Time to First Fix)を保証する。GPIO制御インターフェースにより、4つの異なる動作モードを簡単に制御可能。広帯域設計により、1164~1615MHzのすべてのGNSS信号が同
関連製品カタログ・資料
USB-C EMCA コントローラー EZ-PD CMG2
超低消費電力デジタルXENSIV MEMSマイクロフォン IM69D128S
50Wワイヤレス充電トランスミッターIC WLC1150
CoolSiC MOSFET 650V
プレスパックIGBT Infineon Prime Switch P2000DL45X168/P3000ZL45X168
評価ボード EVAL_3K3W_TP_PFC_CC
SiCリファレンスデザイン REF-DR3KIMBGSICMA
モータ制御IC iMOTION IMC300ファミリ
20~800V 車載用MOSFET
UPSデモボード DEMO_850W_12VDC_230VAC
会社情報
インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。
〒 150-0002 渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
https://www.infineon.com/cms/jp/詳細はこちら
製品ご紹介
クラスD オーディオIC IRS2452AM
TO247-4パッケージ搭載1200V/30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1H
パワーMOSFET StrongIRFET 2ファミリー(80V/100V)
NFCタグ側コントローラ NAC1081
Wi-Fi 4 Cloud Connectivity Managerモジュール AIROC IFW56810
1200Vドライブアプリケーション向けCoolSiC MOSFET搭載EasyPACKモジュール
ハーフブリッジレベルシフトゲートドライバIC EiceDRIVER WCDSC006
評価用ボード AURIX TC275 Liteキット
パワーMOSFET OptiMOS 5 100V
120Vブート・3A/4A 接合分離型ハイサイド/ローサイドゲートドライバーIC EiceDRIVER 2EDL803X
じマッチングで機能する。1つのRFパスを使用したシンプルなデュアルバンドGNSSシステムが設計できる。