高速スイッチングアプリケーション向け1200V EasyDUAL CoolSiC MOSFET
最終更新日:2023/08/18
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- ・1200V CoolSiC™ MOSFET
・Easy 1Bパッケージ
・高さ12mmの最高レベルのパッケージ
・非常に低い浮遊インダクタンス
・広いRBSOA
・ゲート駆動電圧領域の拡大
・PressFITテクノロジー
・熱伝導材料(TIM)を使用した2つのモジュール
製品カタログ・資料
- 高速スイッチングアプリケーション向け1200V EasyDUAL CoolSiC MOSFET
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.64MB本製品は、CoolSiC MOSFET M1Hを搭載したEasyDUAL 1B ハーフブリッジモジュール。1200Vのアプリケーションに適しており、PressFITテクノロジーおよびNTCを搭載している。熱伝導材料(TIM)塗布オプションも適用可能。パッケージ高さ12mm。高周波動作および冷却システムの小型化を実現する。
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