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650V CoolSiC MOSFETディスクリート

最終更新日:2023/09/06

TOLL(HSOF-8)パッケージに搭載

本製品は、TOリードレス(TOLL)パッケージの小型フォームファクタと低寄生インダクタンスにより、PCB面積を効率的かつ効果的に利用できるようになり、MOSFETの高い周波数での駆動や高電力密度を実現する。D²PAKパッケージに比べて熱抵抗が低減され、革新的な.XT相互接続技術とともに、高～中電力システムに適しており、価格性能比を最適化する。新興のトーテムポールPFCトポロジーに理想的に適合するほか、高い効率目標に対応するため、DC-DCおよびAC-DCステージやインターリーブトポロジーでも高効率と高密度を実現。さらに、家電製品や低電力産業用モーター制御のような低電力システムにおいて特定の高効率設計にも適している。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

その他の情報

製品カタログ・資料

: 650V CoolSiC MOSFETディスクリート
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.52MB本製品は、TOリードレス(TOLL)パッケージの小型フォームファクタと低寄生インダクタンスにより、PCB面積を効率的かつ効果的に利用できるようになり、MOSFETの高い周波数での駆動や高電力密度を実現する。D²PAKパッケージに比べて熱抵抗が低減され、革新的な.XT相互接続技術とともに、高～中電力システムに適しており、価格性能比を最適化する。新興のトーテムポールPFCトポロジーに理想的に適合するほか、高い効率目標に対応するため、DC-DCおよびAC-DCステージやインターリーブトポロジーでも高効率と高密度を実現。さらに、家電製品や低電力産業用モーター制御のような低電力システムにおいて特定の高効率設計にも適している。

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