パワーMOSFET 650V CoolMOS CFD7A 上面放熱(TSC)/下面放熱(BSC)QDPAKパッケージ
最終更新日:2023/12/26
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- ・AEC-Q101認証
・ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジ向け
・真性高速ボディダイオード
・寄生ソースインダクタンスを低減
・ケルビンソース端子
・大電流対応
・高い放熱性: Ptot 694 W/25°C
・HV対応の沿面距離3.2 mm
製品カタログ・資料
- パワーMOSFET 650V CoolMOS CFD7A 上面放熱(TSC)/下面放熱(BSC)QDPAKパッケージ
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.4MB本製品は、車載用認定を受けたCoolMOS CFD7A製品ファミリーに追加された、650V CoolMOS CFD7A SJ MOSFET 上面放熱(TSC)および下面放熱(BSC)QDPAKパッケージオプション。CoolMOS CFD7Aは前世代製品よりも高い設計柔軟性を備えながら、より高い信頼性と電力密度を実現している。上面および下面放熱は、電力密度を向上させ、寄生ソースインダクタンスを低減し、ケルビンソース端子と3.2mmの沿面距離を備えている。
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製品ご紹介
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