OptiMOS パワーMOSFET 25~150V PQFN 5×6m2ソース
最終更新日:2024/02/13
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- ・卓越したFOMを実現する最先端のシリコン技術OptiMOSを採用
・熱性能と超低寄生特性を改善したソースダウンパッケージ
・チップ/パッケージ比を最大化したソースダウンパッケージ
・センターゲートおよびコーナーゲートフットプリントのソースダウンパッケージ
製品カタログ・資料
- OptiMOS パワーMOSFET 25~150V PQFN 5×6m2ソース
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.22MB本製品は、コーナーゲート構造のPQFN 5×6m2ソースダウンパッケージ。シリコンチップのアクティブ側を部品の底面側に向けており、シリコンチップ上部のドレイン側の強化クリップと組み合わせることでパッケージ寄生が大幅に低減され、熱性能が向上。ソースダウンパッケージは、フットプリント面積あたりのRDS(on)を最小化し、優れた熱性能を実現する。このため、BOMコストの削減、アクティブ冷却の必要性を低減した容易な熱管理、電力密度や効率の向上など、システムレベルで大きな改善が図れる。
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