製品ナビは、工業製品からエレクトロニクス、IT製品まで、探している製品が見つかります

TO247-4パッケージ搭載1200V/30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1H

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2024/04/15

このページを印刷
  • TO247-4パッケージ搭載1200V/30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1H
高効率、高周波動作
IMZA120R030M1H】は、最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルドフリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう最適化されているCoolSiC MOSFET。DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータなどのハードおよび共振スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適。TO-247 4ピンパッケージは、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現する。

その他の情報

    ・最高クラスの低スイッチング損失および導通損失
    ・高閾値電圧、Vth > 4V
    ・0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動
    ・幅広いゲートソース電圧範囲
    ・転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード
    ・温度依存の無いターンオフ時のスイッチング損失
    ・最高クラスの放熱性を備えた.XT相互接合技術

製品カタログ・資料

TO247-4パッケージ搭載1200V/30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1H
TO247-4パッケージ搭載1200V/30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1H

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.38MB【IMZA120R030M1H】は、最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルドフリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう最適化されているCoolSiC MOSFET。DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータなどのハードおよび共振スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適。TO-247 4ピンパッケージは、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現する。

会社情報

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント

https://www.infineon.com/cms/jp/
詳細はこちら

TO247-4パッケージ搭載1200V/30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1Hのお問い合わせ

お問い合わせはこちら
企業ロゴ

新着製品情報

62mm 2 kV CoolSiC MOSFET M1H
62mm 2 kV CoolSiC MOSFET M1Hインフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
車載用グレードPolarP PチャンネルパワーMOSFET IXTY2P50PA
車載用グレードPolarP PチャンネルパワーMOSFET IXTY…Littelfuseジャパン合同会社
【継続供給】 東芝社製品のソリューションを拡大
【継続供給】 東芝社製品のソリューションを拡大Rochester Electronics Ltd
小型SOT-223-3パッケージ 600V耐圧Super Junction MOSFET R600xxND4
小型SOT-223-3パッケージ 600V耐圧Super Junction MO…コアスタッフ株式会社

ランキング

20~60V相補型MOSFET
20~60V相補型MOSFETインフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
ROHM社製 SuperJunction MOSFET PrestoMOS R60xxJNxシリーズ
ROHM社製 SuperJunction MOSFET PrestoMOS R60xxJNx…コアスタッフ株式会社
強化型SiC MOSFET LSIC1MO120E0160シリーズ
強化型SiC MOSFET LSIC1MO120E0160シリーズLittelfuseジャパン合同会社
インフィニオン製MOSFET/IGBT
インフィニオン製MOSFET/IGBTRochester Electronics Ltd

企業基本情報

社名:
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
住所:
〒 150-0002
渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
Web:
https://www.infineon.com/cms/jp/

おすすめ情報

  • <24GHzレーダーデモキット>

    本製品は、従来の24GHzレーダー性能を超える高精度な距離測定を可能にする24GHzレーダーデモキット。距離測定精度:+/-5cm、測定距離範囲:0.1~25m。24GHzトランシーバICにはBGT24MTR11を採用。24GHz VCO/送信/受信回路をワンチップ化。信号処理部に独自のアルゴリズムを採用。