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TO247-4パッケージ搭載1200V／30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1H

最終更新日:2024/04/15

高効率、高周波動作

【IMZA120R030M1H】は、最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルドフリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう最適化されているCoolSiC MOSFET。DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータなどのハードおよび共振スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適。TO-247 4ピンパッケージは、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現する。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

その他の情報

製品カタログ・資料

: TO247-4パッケージ搭載1200V／30mΩ CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R030M1H
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.38MB【IMZA120R030M1H】は、最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルドフリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう最適化されているCoolSiC MOSFET。DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータなどのハードおよび共振スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適。TO-247 4ピンパッケージは、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現する。

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