TO247-4パッケージ 車載用CoolSiC MOSFET 1200V
最終更新日:2024/04/15
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- ・高いターンオン電圧VGS(on)=20V
・0Vターンオフ ゲート電圧
・低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(V GS(th))
・ゲート電荷(QGtot)を低減
・高電圧沿面距離要求に最適
・はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード
製品カタログ・資料
- TO247-4パッケージ 車載用CoolSiC MOSFET 1200V
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.66MB本製品は、オンボードチャージャーおよびDC-DCアプリケーション向けに最高レベルのスイッチング性能を備えたTO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリート。ケルビンソースピンを追加したことで、クラス最高のスイッチング性能、寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっている。
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