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MOSFET D2PAK-7パッケージ搭載 1200V CoolSiC MOSFET G2

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2024/04/15

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  • MOSFET D2PAK-7パッケージ搭載 1200V CoolSiC MOSFET G2
きわめて低いスイッチング損失
本製品は、D2PAK-7L (TO-263-7) パッケージの CoolSiC G2 1200 V ファミリー。第1世代の技術がもつ強みを活かし、よりコストが最適化され、効率的でコンパクト、高信頼性のソリューションのシステム設計を加速することがかのう。第2世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善されている。

その他の情報

    ・きわめて低いスイッチング損失
    ・過負荷時の最大温度 T vj=200℃
    ・短絡耐量2μs
    ・業界標準となる閾値電圧、VGS(th)=4.2V
    ・寄生ターンオンに対する堅牢性、0Vターンオフゲート電圧を印加可能
    ・転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
    ・.XT相互接合技術によりクラス最高の放熱性能

製品カタログ・資料

MOSFET D2PAK-7パッケージ搭載 1200V CoolSiC MOSFET G2
MOSFET D2PAK-7パッケージ搭載 1200V CoolSiC MOSFET G2

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.22MB本製品は、D2PAK-7L (TO-263-7) パッケージの CoolSiC G2 1200 V ファミリー。第1世代の技術がもつ強みを活かし、よりコストが最適化され、効率的でコンパクト、高信頼性のソリューションのシステム設計を加速することがかのう。第2世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善されている。

会社情報

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〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント

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