MOSFET D2PAK-7パッケージ搭載 1200V CoolSiC MOSFET G2
最終更新日:2024/04/15
このページを印刷その他の情報
- ・きわめて低いスイッチング損失
・過負荷時の最大温度 T vj=200℃
・短絡耐量2μs
・業界標準となる閾値電圧、VGS(th)=4.2V
・寄生ターンオンに対する堅牢性、0Vターンオフゲート電圧を印加可能
・転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
・.XT相互接合技術によりクラス最高の放熱性能
製品カタログ・資料
- MOSFET D2PAK-7パッケージ搭載 1200V CoolSiC MOSFET G2
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.22MB本製品は、D2PAK-7L (TO-263-7) パッケージの CoolSiC G2 1200 V ファミリー。第1世代の技術がもつ強みを活かし、よりコストが最適化され、効率的でコンパクト、高信頼性のソリューションのシステム設計を加速することがかのう。第2世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善されている。
関連製品カタログ・資料
IGBTパワーモジュール
5G/LTEアプリケーション向けLNA BGA9x1MN9ファミリー
OPTIREG パワーマネジメントIC(PMIC) TLF30682/TLF30681
IGBT4搭載IHV-B 4.5kVシングルスイッチモジュール FZ1800R45HL/45HL4_S7
シングルチップ コンボ デバイス AIROC CYW54591/54590
車載用電流センサ TLE4973
評価ボード PROFET ONE4ALL MB V1
ハイサイドスイッチ PROFET+2 12V Grade0
750V EDT2 ディスクリートIGBT
組込みSIM(eSIM)ソリューション OPTIGA Connect IoT
会社情報
インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。
〒 150-0002 渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
https://www.infineon.com/cms/jp/詳細はこちら
製品ご紹介
OptiMOS 7 パワーMOSFET 15V・PQFN(3.3×3.3mm²)ソースダウンパッケージ
モータ制御IC iMOTION IMC100シリーズ
パワーセーブモード搭載LNA BGA9H1BN6
高集積シングルポートUSB-C PDコントローラー EZ-PD CCG7SC
EiceDRIVER 1200V レベルシフトゲートドライバ
パワーモジュール
EconoDUAL 3 Waveパワーモジュール FF600R12ME4W_B73/FF900R12ME7W_B11
定電圧出力1段フライバックLEDコントローラ ICL88xxファミリ
XENSIV 60GHz レーダーセンサ BGT60LTR11SAIP
IGBTデバイス TRENCHSTOP RC-D2 600V