シリコンカーバイド CoolSiC MOSFETs
最終更新日:2023/08/17
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- ・冷却効率を向上させる最高の効率
・より長い寿命と高い信頼性
・高周波数動作
・システムコストの削減
・電力密度の向上
・システムの複雑さの軽減
・設計と実装の容易さ
・デバイスの静電容量が低い
・温度に依存しないスイッチング損失
・逆回復電荷の低い真性ダイオード
・スレッショルドフリーのオン状態特性
製品カタログ・資料
- シリコンカーバイド CoolSiC MOSFETs
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:3.24MB【CoolSiC MOSFET】は、従来にはないレベルの効率とシステムの柔軟性を実現するシリコンカーバイド。新しい製品設計を可能とし、IGBTやMOSFETなどの従来のSiベースのスイッチと比較して、一連の利点を提供する。
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