650V スーパージャンクションMOSFET CoolMOS CFD7
最終更新日:2023/08/18
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本製品は、高速ボディダイオードを内蔵により、極めて低いQrrを実現したスーパージャンクション(SJ) MOSFET。優れたハードコミュテーション耐性を備え、バス電圧の上昇に伴う設計の安全マージンを確保。サーバー、テレコム、ソーラー、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの共振トポロジーに最適。スイッチング損失を大幅に低減し、大幅な効率改善が可能。
その他の情報
- ・超高速ボディダイオードで極めて低いQrrを実現
・650Vのブレークダウン電圧
・温度によるRDS(on)依存性が極めて低い
製品カタログ・資料
- 650V スーパージャンクションMOSFET CoolMOS CFD7
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.25MB本製品は、高速ボディダイオードを内蔵により、極めて低いQrrを実現したスーパージャンクション(SJ) MOSFET。優れたハードコミュテーション耐性を備え、バス電圧の上昇に伴う設計の安全マージンを確保。サーバー、テレコム、ソーラー、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの共振トポロジーに最適。スイッチング損失を大幅に低減し、大幅な効率改善が可能。
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