CoolGaN 600V eモードHEMTハーフブリッジ評価ボード EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN

製品カタログ・資料

CoolGaN 600V eモードHEMTハーフブリッジ評価ボード EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.81MB本製品は、CoolGaNトランジスタのテストを行えるだけでなく、簡単かつ迅速な設定が可能な600V窒化ガリウム(GaN)ハーフブリッジ評価ボード。一般的なトポロジーは、昇圧または降圧動作、パルス・テスト、連続フルパワー動作用に設定することができる。テストポイントは、信号をオシロスコープに接続し、CoolGaNトランジスタとゲートドライバのスイッチング性能を測定するためのアクセスを容易にする。窒化ガリウムトランジスタを評価するために、独自のゲートドライバと電源回路を設計する必要がない。ハーフブリッジ回路基板は、50Ωパルス発生器の接続を目的とした単一のPWM入力を特長としており、ボードは単一の5V電源入力から電源を供給し、絶縁ゲートドライバ電源を含むすべての電源を供給する。