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CoolGaN 600V eモードHEMTハーフブリッジ評価ボード EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2021/02/18

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  • CoolGaN 600V eモードHEMTハーフブリッジ評価ボード EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
専用のGaNドライバICを搭載、マルチMHzのスイッチング周波数に対応
本製品は、CoolGaNトランジスタのテストを行えるだけでなく、簡単かつ迅速な設定が可能な600V窒化ガリウム(GaN)ハーフブリッジ評価ボード。一般的なトポロジーは、昇圧または降圧動作、パルス・テスト、連続フルパワー動作用に設定することができる。テストポイントは、信号をオシロスコープに接続し、CoolGaNトランジスタとゲートドライバのスイッチング性能を測定するためのアクセスを容易にする。窒化ガリウムトランジスタを評価するために、独自のゲートドライバと電源回路を設計する必要がない。ハーフブリッジ回路基板は、50Ωパルス発生器の接続を目的とした単一のPWM入力を特長としており、ボードは単一の5V電源入力から電源を供給し、絶縁ゲートドライバ電源を含むすべての電源を供給する。

その他の情報

    ・専用のGaNドライバICを搭載したシンプルなGaNハーフブリッジ
    ・マルチMHzのスイッチング周波数に対応
    ・ゼロリバースリカバリー -ハードまたはソフトスイッチングの間でシフトすることができます。
    ・GaNトランジスタは、高電力損失のためのトップサイド冷却を特徴としています。

製品カタログ・資料

CoolGaN 600V eモードHEMTハーフブリッジ評価ボード EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
CoolGaN 600V eモードHEMTハーフブリッジ評価ボード EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.81MB本製品は、CoolGaNトランジスタのテストを行えるだけでなく、簡単かつ迅速な設定が可能な600V窒化ガリウム(GaN)ハーフブリッジ評価ボード。一般的なトポロジーは、昇圧または降圧動作、パルス・テスト、連続フルパワー動作用に設定することができる。テストポイントは、信号をオシロスコープに接続し、CoolGaNトランジスタとゲートドライバのスイッチング性能を測定するためのアクセスを容易にする。窒化ガリウムトランジスタを評価するために、独自のゲートドライバと電源回路を設計する必要がない。ハーフブリッジ回路基板は、50Ωパルス発生器の接続を目的とした単一のPWM入力を特長としており、ボードは単一の5V電源入力から電源を供給し、絶縁ゲートドライバ電源を含むすべての電源を供給する。

会社情報

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車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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    社名:
    インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
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    〒 141-0032
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    Web:
    https://www.infineon.com/cms/jp/

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