OptiMOS 6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル
最終更新日:2023/08/17
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- ・Nチャネル -エンハンスメントモード
・ノーマルレベルのゲートスレッショルド2.3V (Typ.)
・175°C ジャンクション温度(Tj)
・dv/dtイミュニティに最適化された電荷比QGD/QGS <0.8
・低いゲートチャージ
・100%アバランシェ試験済み
・高い電流定格
製品カタログ・資料
- OptiMOS 6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.34MB本製品は、バッテリー駆動アプリケーション、バッテリー駆動ツール、バッテリー管理、低電圧駆動など、ノーマルレベル(より高い閾値電圧)が要求されるアプリケーションに適したOptiMOS 6 パワーMOSFET。ノーマルレベル・ポートフォリオのより高いVthは、より大きなゲート電圧スパイクのみが不要なターンオンを引き起こすことを意味し、QGD/QGS比(CGD/CGS分割比)を小さくすることで、ゲート電圧スパイクのピークを抑え、不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることができる。「ISC007N04NM6」は、0.7mΩという非常に低いRDS(on)を実現。
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