48VスマートハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED4820-EM
最終更新日:2023/08/17
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- ・幅広い動作電圧範囲: 20 V〜70 V
・2つの独立したハイサイドゲートドライバ出力(1 Aプルダウン、0.3 Aプルアップ)による高速スイッチオフ/オン
・電流検出
・SPIによるデバイスの制御、設定、および診断
・設定変更が可能な過電流/短絡保護
・設定変更が可能なドレイン-ソース間の過電圧保護機能
・ゲート低電圧保護 (VGS)
・グラウンドロス検出
・AEC-Q100認定およびISO 26262対応
製品カタログ・資料
- 48VスマートハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED4820-EM
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.19MB【2ED4820-EM】は、SPIで制御される2出力のスマート ハイサイドNチャネルMOSFETゲートドライバー。強力なチャージポンプを内蔵しているため、外付けのMOSFETをオンにし続けることができる。ドライバーのターンオンおよびターンオフの性能が強化されているため、MOSFETの数を簡単に増やすことが可能で、高速スイッチオン/オフ能力を確保しながら、数百アンペア単位の大電流を制御できる。MOSFETは、コモンドレインまたはコモンソースのバック トゥ バック構成で動作させることができる。内蔵の電流センスアンプは、ハイサイドおよびローサイドの電流測定に対応し、専用のモニタ出力を装備。複数のラッチ式故障検出機能を備え、外付けMOSFET、負荷、および電源の保護を実現。パラメーターの調整はSPIで行い、監視データ、設定、警告、故障検出の各レジスターの読み出しが可能。
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