シングルチャンネル絶縁ゲートドライバ EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)ファミリー
最終更新日:2023/08/17
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- ・最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能
・+6A/-8.5Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流
・フォールト出力による高精度VCEsat検出(DESAT)
・非飽和検出後のソフトターンオフ
・アクティブミラークランプ
・40Vの絶対最大出力電源電圧
・伝搬遅延 85ns(35ns入力フィルター使用時)
・高いコモンモード過渡耐性CMTI>300kV/μs
・DSO-16 300milワイドボディパッケージ、長い沿面距離(>8mm)
・ヒステリシス付き低電圧ロックアウト(UVLO)保護(IGBTおよびSiC用)
製品カタログ・資料
- シングルチャンネル絶縁ゲートドライバ EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)ファミリー
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.06MB【EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)ファミリー】は、絶縁型ゲート短絡保護(DESAT)、ソフトターンオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を備えたドライバーファミリー。最大出力電流8.5Aを備えており、搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に最適。アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぐことができる。保護機能により、多くのアプリケーションにおいて、システムの安全性が向上する。
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