SiC MOSFETディスクリート
最終更新日:2023/08/17
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- ・低いQrrとQoss
・低スイッチング損失
・堅牢な転流ボディダイオード
・優れたゲート酸化膜信頼性の優れたトレンチ技術
・アバランチ性能の向上
・プリント基板に直接組み込むことができるSMDパッケージ
・スイッチング性能を最適化するセンスピン
製品カタログ・資料
- SiC MOSFETディスクリート
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.58MB本製品は、50V・D2PAKパッケージのSiC MOSFETディスクリート。炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自CoolSiC MOSFET技術を採用。高効率・小型化・信頼性を実現する。
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会社情報
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